产品中心
  • GSL-1600X-FS3KW是一款水平式闪烧炉,炉体*高温度可达1600℃,配备3KW可编程交流电源,正负极电极丝可通过电极法兰引入到刚玉样品夹具上对样品施加电场,实现电场辅助闪烧工艺,相较于传统陶瓷烧结工艺,具有超快速、节能且有利于制备细晶化陶瓷等优势。可广泛应用于各类陶瓷材料的闪烧烧结工艺中,如:固体氧化物燃料电池领域、铁电热电陶瓷领域、固态电解质等领域中。
  • GSL-1100X-III-D11是一款三温区的大型双管炉,其*高温度可以达到1100℃。特殊的双管设计,是为了通过CVD方法在箔材上大面积生长材料(面积:~7000 cm^2,箔材缠绕在内管的外壁上)。一个送管装置可以将内管轻易送入外管内部和从外管中取出。此款设备特别适合大面积生长石墨烯和柔性电极材料。
  • VBF-1200X-TSSG是一款顶部籽晶法晶体生长炉,可利用助溶剂法生长各种材料单晶。配备精密旋转提拉机构可用于顶部籽晶助溶剂法生长各种晶体材料,提拉和旋转速度采用PLC触摸屏控制,操作简便。箱式炉采用氧化铝纤维作为炉膛材料,以电阻丝为加热元件,其腔体尺寸为φ240mm×200mm(H),*高温度可达1200℃。采用欧陆仪表进行控温,可根据不同的客户需求来设定升降温程序(*高24段),控温精度可达±0.1℃。
  • QT-1是一款单工位真空封管-封样机,可对石英等玻璃管进行真空或充气密封,独特的旋转密封法兰设计可边旋转边熔化密封,可将易挥发或氧敏感原料密封于管中进行后续实验,广泛应用于合金、晶体、热电等的材料制备领域中。
  • RC-Ni-100是一款100ml的高温高压反应釜,采用镍基高温合金钢制作,其具极高的蠕变强度和抗氧化性。反应釜可承受*高温度为1100℃(此时反应釜内可承受的*高压力为4MPa)。此款设备适合用水热法制备材料,也特别适合在高压氧环境下对样品进行热处理。
  • SKJ-BG1650是一款高质量的布里奇曼单晶生长炉,*高温度可达1650℃。此款设备可生长出各种金属单晶,目前本公司用此款设备已经生长出Cu,Ag,Au,Fe和Mg等单晶,其直径可达37mm。电动坩埚放置系统,方便与放样和取样。此设备适合于生长各种金属,氧化物等晶体,也和作为多晶棒定向凝固使用。
  • SKJ-CZ-250是一款小型的提拉机构(具备提拉和旋转功能),此设备专门用于DIY各种单晶生长设备,如提拉法单晶炉(CZ)、顶部籽晶助溶剂法(TSSG)等等。同时本公司提供各种单晶炉搭建方案。
  • SKJ-LCZ是一款特殊的提拉法(CZ)晶体生长炉(采用悬浮熔炼对金属样品熔化,*高温度可达2000℃)。此系统采用组成:高频感应加热电源,高真空腔体,水冷铜坩埚(悬浮熔炼)和精密提拉机构。悬浮熔炼避免了坩埚的污染,可得到高纯度的金属(合金)单晶。
  • SKJ-VE2000是一款小型火焰法单晶生长炉,其温度可以高达2000℃。设备中配有质量流量计可调节氢气和氧气气流量,同时可调节料斗震动频率调节原粉料出料量,籽晶台可自动下降和转动。此设备专门设计用于生长各种氧化物晶体,如SrTiO3,Al2O3和TiO2单晶等。
  • SP-60KTC-CZ是一款小型提拉法单晶生长炉,其*高温度可达1700℃。可用于生长GGG,YAG,LaALO3等各种单晶,用于材料的基础研究。
  • SP-MSM-4CZ是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉(采用Ar气电弧对样品熔融,提拉装置提拉),其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体(带有水冷夹层),真空度可达10-5Torr.此款单晶炉特别适合生长高熔点的单晶,如Ti单晶,YSZ,SiC和CeRh2Si等等。
  • VTF-1600X-TSSG是一款顶部籽晶法晶体生长炉,可利用助溶剂法生长各种材料单晶。箱式炉采用氧化铝纤维作为炉膛材料,以MoSi2为加热元件,其腔体尺寸为φ330mm×250mm(H),*高温度可达1700℃。30段可编程精密温度控制器,可根据不同的客户需求来设定升降温程序,控温精度可达±1℃,配备精密旋转提拉机构可用于顶部籽晶助溶剂法生长各种晶体材料,提拉速度和旋转速度均可根据客户需求进行定制。
  • VTF-1200X-III-TSSG是一款3温区顶部籽晶助熔剂法(TSSG)晶体生长炉。此设备主要由3部分组成:3温区加热炉(炉膛尺寸为:Φ127mm×600mm,*高温度为1200℃),温控系统可设置28段温度程序段,控温精度±1℃和精密旋转提拉机构,其提拉速度为0.8-50mm/hour.
  • OTF-1200X-SCB是一款小型晶体生长炉,适用于提拉法或布里奇曼法生长单晶,其*高温度可达1100℃。设备主要由提拉机构和炉体组成,提拉机构具有提拉&旋转功能,炉体采用立式双温区管式炉,炉管为直径为Φ50mm的石英管,并且配有不锈钢密封法兰,此设备可采用提拉法(用籽晶从熔融态原来中提拉出单晶)或布里奇曼法(将样品封入到小石英试管里,石英试管在加热区内向下移动)生长各种单晶。
  • OTF-1200X-50-DSL是一款水平滑轨炉,其炉管直径为Φ50mm,炉体滑动速度可以根据实验需要而设置(1mm/sec-100mm/s),并可以设置左右反复滑动,同时还可以设置炉体的滑动距离。此款管式炉专门设计用CVD方法定向生长单壁碳纳米管(SWCNTs)。通时此款滑轨炉也可用来在硅片上生长熔点较低的金属单晶。此系统包含了可设30段程序的高温炉、一根Φ50*1000mm的石英管和一套不锈钢真空法兰。
  • SKJ-M50-16 金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备。可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下,在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性,本设备可采用中频感应加热电源,以及石墨电阻加热两种加热电源。采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温,使结晶体按照一定的直径进行控制。
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