产品中心
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OTF-1200X-80-III-F3LV是一款CE认证的三温区管式炉CVD系统，其管径为80mm，采用机械泵，它是由管式炉，三路浮子流量供气系统组成，其真空度可达到 10-2 torr。
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OTF-1200X-80-II-F3LV是一款通过CE认证的双温区管式炉CVD系统，其管径为80mm，采用双旋片机械泵，供气系统为三路浮子供气系统，可以混合1-3种气体，其真空度可达到 10-2 torr.
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OTF-1200X-S25-II-SL是一款小型双温区管式炉CVD系统。它由带快速链接法兰的小型双温区滑轨炉、质子流量控制器、真空泵三部分组成。双温区滑轨炉可移动并可实现快速升降温；触屏式三路质子流量器，能够**控制系统的供气；真空泵可实现对管式炉快速抽真空。
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OTF-1200X-5-III-SF是经过CE认证的分体式5“（OD）三区管式炉，可以通过调节三区温度实现更快的加热至1200℃并产生不同的热梯度。炉子包括所有附件 它是在各种气氛下退火，扩散和烧结样品的优良炉子。
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开启式单温区低真空CVD系统OTF-1200X-F3LV是由开启式单温区管式炉、机械泵、三通道浮子混气系统组成，可为CVD或扩散实验提供1-3种的混合气体，真空度可达10-2torr。
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GSL-1700X-HVC9是经过CE认证的80mm直径氧化铝管式炉，带有真空泵系统（*高10^-5 torr）和9通道精密数字质量流量计，可控制九种类型的气体用于CVD或扩散，并可以工作到1700℃。
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OTF-1200X-4-III-9HV是一款CE认证的九通道高真空三温区CVD系统，齐炉管直径为4英寸，它是由九通道质量流量控制器和高真空机组组成，其*高温度可达1200℃，极限真空可达to 10^-5 torr，混气系统可以对1-9种气体进行**的混气，然后导入到管式炉内部，用来研究气体环境对材料的影响。
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OTF-1200X-III-HVC是由OTF-1200X-III三温区管式炉，二路质子混气系统和高真空机组组成。其*高工作温度可达1200℃，极限真空度可达 10-5 torr。混气系统可以对两种气体进行**的混气，然后导入到管式炉内部。
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高真空三温区CVD系统OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道质量流量控制器和高真空机组组成的CVD系统，其炉管直径为4″，*高温度可达1200℃，极限真空可达 10-5 torr，混气系统可对1-9种气体进行**的混合，然后导入管式炉内部，可用来研究气体环境对材料的影响。
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高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成，可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品（尺寸可达3″ ）的退火，并采用 10KW的红外灯进行加热，*快升温速度可达 120℃/s，配有RS485 接口，可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线。
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1700℃两通道混气高真空CVD系统GSL-1700X-4-C2HV是由单温区管式炉、两路质子混气系统和高真空机组组成，*高工作温度可达1600℃，混气系统可以对两种气体进行**的混气，然后导入管式炉内部，本系统极限真空度可达10-5 torr。
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GSL-1700X-HVC是一款CE认证的二通道高真空CVD系统，它是由二路质子混气系统和高真空机组组成，其*高工作温度可达1600℃，极限真空度可达 to 10^-5 torr。混气系统可以对两种气体进行精-确的混气，然后导入到管式炉内部。安装尺寸：管炉：550 x 380 x 520mm 高真空：550 x 380 x 520mm
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ALD-1200X--R-4是一款4英寸ALD旋转管式炉系统，包含用于原子层沉积的2个ALD进气阀、1个精密液体气相发生器以及4通道质子流量计控制系统，可利用此系统进行粉末表面的ALD和CVD包覆。该系统简洁的设计使得更多的科研院所能够在可负担的低成本情况下实现ALD工艺实验。
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ALD-GSL-4是一套2通道ALD控制系统，包含4通道质子流量计进**体的混合和输送，可与本公司任意管式炉或腔体进行DIY，组建一套ALD系统，用于薄膜的制备或者粉末表面的包覆复合。LCD触摸屏可方便的对每一通道ALD的脉冲时间以及气体流量进行控制。
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OTF-1200X-II-PE-RR是一套卷对卷石墨烯制备管式炉系统，设备由卷对卷铜箔收放密封装置、500W等离子源、1200℃双温区管式炉、三路质子流量计控制系统、真空机组5部分组成。此设备可用于大面积、高质量石墨烯及其他二维材料的规模化生长 。
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OTF-1200X-4-NW是一种紧凑型CVD炉，专为生长各种纳米线而设计，基片*大3英寸. 在法兰的左侧装有一个小加热器，可对输入的气体、液体、固体进行预加热，然后 进入 CVD 炉进行纳米线的生长, 可滑动的样品架使操作更为简单.