产品中心
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OTF-1200X-II是通过CE认证的双温区管式炉，其*高温度可达到1200℃，并可通过调节两个温区的控温程序使炉管内温场形成一温度梯度。两个温区分别由两个独立的温控系统来控制，而且都为PID30段程序化控温。此系列管式炉可以用CVD方法来生长纳米材料和制备各种薄膜。
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GSL-1400X-II是一款CE认证的双温区高温管式炉，每个加热区长度12",由30段智能温度调采用硅碳棒作为加热元件，*高工作温度可达到1400℃。可通过调节两个温区的控温程序使炉管内温场形成一温度梯度，此系列管式炉可以用CVD或PVD方法来生长纳米材料和制作各种薄膜。
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OTF-1500X-II是一款双温区开启式管式炉，两个温区分别用两个独立的温控系统控制，每个温区都可以设置30段升降温程序，并带有断偶和过热保护，控温精度高达+/- 1°C，仪器*高温度可以达到1500℃。此高温管式炉特别适合于在气氛保护或真空的环境下对样品进行退火和烧结。
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OTF-1200X-4-VT-II是通过CE认证的双温区立式管式炉，其炉管直径可制作为100mm,适合于对样品在真空或气氛保护环境下进行吊烧和淬火。炉体下端安装有一移动架以方便与移动。采用PID方式进行温度调节，可设置30段升降温程序，控温精度为+/- 1 ℃.
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OTF-1200X-II-ZL是一款炉管可在炉管内部移动的（在真空气氛保护环境下移动）管式炉，*多可依次移动4个坩埚。特殊的坩埚推送机构，可将坩埚在炉管内推出后再拉回，让坩埚能做往返移动。坩埚移动位置&炉体的温度控制都采用一触摸屏控制。此款设备可进行物理化学混合沉积（HPCVD），快速热蒸发（RTE）等实验，特别适合制备多层二维晶体材料。
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OTF-1200X-Ⅱ-S2是一款双温区带有升降双通道进料系统的共蒸发多层沉积管式炉，通过升降双通道进料系统可装载4个不同材料的蒸发坩埚舟，并且可一次同时送入两个蒸发坩埚源进入管式炉中进行共蒸发或反应蒸发。双温区管式炉可以实现快速加热，并且通过对各个温区设置不同的加热温度可以创建不同的温度梯度从而实现蒸发沉积。双通道进料系统可以在程序控制下将2个装载不同蒸发料的坩埚一同推进拉出，实现共蒸发或者反应蒸发，特别适用于多层二维晶体材料的制备。
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OTF-1200X-III-C是一款加热区为450mm(150+150+150mm)的开启式三温区管式炉，其石英炉管的直径为25，50，60，80或100mm。三个温区都由独立的温控系统控制，可设置30段升降温程序，控温精度为 +/- 1℃，*高温度可达到1200℃。
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OTF-1200X-III-S是一款通过CE认证的小型3温区管式炉，三个温区都有独立的温控系统，并采用PID30段程序化控温，其控温精度±1 ℃。对于在气氛保护或真空环境下对样品进行退火、扩散或烧结OTF-1200X-III-S是一款理想的管式炉。
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OTF-1200X-5-III-D4 是一款三温区的双管炉，其*高工作温度可以达到1200℃，专门针对于用CVD方法在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、太阳能电池的电极材料和电池电极材料等。
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GSL-1100X-XX-III是CE认证的三温区大口径管式炉，此系列管式炉可选择三种炉管直径：6英寸（152mm）、8.5英寸（216mm）和11英寸（279mm）。设备*高加热温度可达1100℃，控温精度为+/-1℃并可设置30段升降温程序。此款设备配有铰链式法兰，可对材料在真空或气氛保护环境下进行热处理。
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OTF-1100X-XX-III是一款通过CE认证的三温区管式炉，采用8.5英寸或11英寸石英炉管及不锈钢密封法兰（安装有不锈钢截止阀和机械压力表）。炉体设计为电动开启式。三个温区独立控制，可设置30段升降温曲线，带有超温和短偶保护，控温精度为+/- 0.5 ºC。此款设备广泛应用于各种材料在真空或气氛保护环境下的热处理。
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OTF-1100X-15-III是一款通过CE认证的三温区管式炉，采用15英寸石英炉管及不锈钢密封法兰（安装有不锈钢截止阀和机械压力表）。炉体设计为电动开启式。三个温区独立控制，可设置30段升降温曲线，带有超温和短偶保护，控温精度为+/-0.5 ºC。此款设备广泛应用于各种材料在真空或气氛保护环境下的热处理。
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GSL-1100X-III-8.5T是一款通过CE认证并采用UL标准制造的一款三温区管式炉。该管式炉配备有8.5英寸的石英管和水冷法兰，一块触摸屏控制温度和真空度，操作简洁方便。*高工作温度1150℃，真空度可以达到10-5 torr。该管式炉是一款理想的做退火，扩散和CVD等的实验设备。
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GSL-1700X-III是一款CE认证的三温区高温管式炉，其炉管外径为 60mm ，每个加热区的长度为12" ，三个数字温度控制器可独立控制温度，并可设置30段升降温程序，温区1（加热区中心）采用Super-1800级的硅钼棒进行加热，当温度达到 1700°C时，另外两个温区用硅碳棒进行加热，当温度在1400°C时，此款管式炉可以形成一个温度梯度，调整三个温区的温度，在热梯度下制备功能材料，他是一款理想的设备，同时也适用于CVD法制作薄膜外延生长。