产品中心
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ALD-1200X--R-4是一款4英寸ALD旋转管式炉系统，包含用于原子层沉积的2个ALD进气阀、1个精密液体气相发生器以及4通道质子流量计控制系统，可利用此系统进行粉末表面的ALD和CVD包覆。该系统简洁的设计使得更多的科研院所能够在可负担的低成本情况下实现ALD工艺实验。
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ALD-GSL-4是一套2通道ALD控制系统，包含4通道质子流量计进**体的混合和输送，可与本公司任意管式炉或腔体进行DIY，组建一套ALD系统，用于薄膜的制备或者粉末表面的包覆复合。LCD触摸屏可方便的对每一通道ALD的脉冲时间以及气体流量进行控制。
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OTF-1200X-II-PE-RR是一套卷对卷石墨烯制备管式炉系统，设备由卷对卷铜箔收放密封装置、500W等离子源、1200℃双温区管式炉、三路质子流量计控制系统、真空机组5部分组成。此设备可用于大面积、高质量石墨烯及其他二维材料的规模化生长 。
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OTF-1200X-4-NW是一种紧凑型CVD炉，专为生长各种纳米线而设计，基片*大3英寸. 在法兰的左侧装有一个小加热器，可对输入的气体、液体、固体进行预加热，然后 进入 CVD 炉进行纳米线的生长, 可滑动的样品架使操作更为简单.
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OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD（物理/化学混合气相沉积）系统，带有独特的原料推进系统和1350℃原位蒸发枪。原料推进系统和同时/依次将3种反应原料推入到炉管中（可设定推入位置和推进速度），以达到适合的蒸发温度。温度可控型原位蒸发枪，*高温度可达1350℃，也可多固体原料原位蒸发。所以此系统可对4种固体或液体源供蒸发。此设备适合各种HPCVD实验，特别适用于制备多层二维晶体材料。操作面板为PLC触摸屏，用户可设置进料速度，进料位置及实时监测蒸发原料的温度。
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TF-1200X-4-C4LVS 双管炉是 一个特殊的双管CVD系统,是专门为在金属箔上生长薄膜而设计,特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究。通过滑动炉子实现快速加热和冷却。请点击下图观看炉子的工作原理。
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OTF-1200X-5-III-D4 是一款三温区的双管炉，其*高工作温度可以达到1200℃，专门针对于用CVD方法在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、太阳能电池的电极材料和电池电极材料等。
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单管滑动快速加热冷却炉OTF-1200X-80-SL是一款CE认证的可滑动管式炉，配置dia3”x55” 石英管，工作温度*高达1200°C。炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。加热和冷却速率*大可达100°C/m。为取得*快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动炉子到样品位置。为获得*快冷却，可在样品加热后移动炉子到另一端。加热和冷却速率在真空或者惰性气体环境下可以达到10°C/s，是低成本快速热处理的理想炉子。
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OTF-1200X-4-RTP-SL是一款能够快速升温和降温的管式炉，其通过红外灯管加热达到快速升温的效果（*大升温速率> 50°C/S），通过炉体滑动来达到快速冷却效果（*大降温速率>10°C/S）。
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1100℃双管三温区管式炉是一款CE认证的三温区双管管式炉，其外管直径11英寸，内管直径8.5英寸，在加热管一端安装有一对高真空不锈钢法兰，法兰上安装有机械压力表和阀门，三个温区都是采用30段可编程PID数字温度控制器进行温度控制，采用K型热电偶进行测温，控温精度+/- 1 ºC ，专门针对于用在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、使用时把金属箔附在内管上。