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  • 为使化学反应能在较低的温度下进行,常利用等离子体的活性来促进反应,这种方法称为等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)。加热炉设备的内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层,可提高设备的加热效率,同时也可延长设备的使用寿命。
  • 1200℃小型磁力滑动管式炉是一款靠磁铁推动坩埚移动的管式炉。其炉管直径为50mm,*高工作温度为1200℃。本公司设计此款管式炉主要是为了在各种气氛环境下用蒸发性沉积方法(DVD)来制取2维薄膜,或对材料进行快速热处理。
  • 5”管径12”L开启式管式炉是一款开启式单温区管式炉,加热区长300mm,*大管径5",30段程序控温,K型热偶测温。主要用于定制立式炉模块。
  • OTF-1200X-R-Ⅱ双温区回转炉是专为在烧结无机化合物时获得较好的一致性而设计,特别适合制备锂离子电池带导电涂层的负极材料,例如LiFePO3和LiMnNiO3等材料。用户可根据所要烧制的材料选择在真空下或气氛保护下进行烧制。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000环境体系要求),不会造成环境污染; 该产品符**购商OHSMS18
  • OTF-1200X-R单温区回转炉主要用于锂离子电池等正负极材料、无强酸碱性粉体材料、颗粒状物料的实验室煅烧及干燥,用户可根据所要烧制的材料选择在真空下或气氛保护下进行烧制。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000环境体系要求),不会造成环境污染; 该产品符**购商OHSMS18000职业**健康管理体系标准的要求,不会对接触产品的人员
  • OTF-1200X-VF开启式立式管式炉,配有石英管和真空密封法兰系统,可以在流动气氛和真空状态下快速加热和淬火样品。精密的控温仪升降温,控温精度±1℃。安装在可移动支架上方便移动。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000环境体系要求),不会造成环境污染; 该产品符**购商OHSMS18000职业**健康管理体系标准的要求,不会对
  • OTF-1200X- Ⅲ三温区高温管式炉主要应用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之用。主要用于电子陶瓷产品的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积(CVD)工艺等。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000环境体系要求),不会造成环境污染; 该产品符**购商OHSMS18000职业**健康管理体系标准的要求,不会对接触产
  • OTF-1200X- Ⅱ双温区管式炉主要应用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之用。主要用于电子陶瓷产品的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积(CVD)工艺等。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000环境体系要求),不会造成环境污染; 该产品符**购商OHSMS18000职业**健康管理体系标准的要求,不会对接触产品的
  • 采用双层风冷结构,炉体表面温度≤60℃. 炉膛采用高纯度氧化铝微晶纤维高温真空吸附成型. 进口加热电阻丝程序镶嵌延长炉体使用寿命. 2只莫来石绝热管塞,用来阻止红外辐射降低两端密封法兰的温度. (设备使用前必须安装绝热管塞) 石英管塞(另购件) 可提高炉管内部的洁净度和真空度 工作电压: 单相 AC 208 - 240V, 50/60Hz *高温度: 1200℃ (使用时必须通入惰性气
  • OTF-1200X-5L is split 5" dia. x 55"L single-zone tube furnace which can achieve faster heating up to 1100°C. The furnace includes one 5" (125 mm) O.D fused quartz tube, one pair of vacuum sealing fla
  • OTF-1200X-S是一款通过CE认证的小型管式炉,其*高工作温度为1200℃,额定功率为1200W。炉管可配置为1"或2"的高纯石英炉管,炉管两端已安装一对不锈钢法兰(法兰上已安装机械压力表、不锈钢截止阀和宝塔嘴接头)。此款设备允许样品在真空和气体保护下进行烧结。**温控系统包含了30段升温和降温曲线设置,其控温精度达到+/- 1°C。
  • OTF-1200X-S真空小管式炉外型美观大方,结构为保温层两半开启式,集控制系统与炉膛为一体。它是专为高等院校﹑科研院所的实验室及工矿企业在可控多种气氛及真空状态下对金属,非金属及其它化合物进行烧结﹑熔化﹑分析而研制的专用理想设备。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000环境体系要求),不会造成环境污染; 该产品符**购商OHSMS1
  • 真空管式炉 VBF-1200X-H8在美国通过CE认证,其水平位置带有一个外口径200mm深度340mm的石英内胆,在真空或各种气氛下温度可达到1100℃,可对6〞以下的半导体晶片进行煅烧或低温退火。该炉体表面温度低、升降温速率快、节能等优点,比一般的真空箱式炉更洁净,真空度能达到更高,是高等院校、科研院所的实验室、工矿企业对金属、非金属及其它化合物材料进行烧结、融化、分析而研制的的理想设备。
  • OTF-1200X-V是一款通过CE认证的是五温区开启式管式炉,每个温区分别由五个独立温控系统单独控制,通过调节各个温区的温度,可以在加热区内形成四段温度梯度或是形成较长的恒温区域。每个控温系统都采用PID方式调节,可以设置30段升降温程序,采用K型omega热电偶进行温度的测量和控制,其控温精度可以达到+/-1℃。