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  • GSL-1700X-HVC9是经过CE认证的80mm直径氧化铝管式炉,带有真空泵系统(*高10^-5 torr)和9通道精密数字质量流量计,可控制九种类型的气体用于CVD或扩散,并可以工作到1700℃。
  • OTF-1200X-4-III-9HV是一款CE认证的九通道高真空三温区CVD系统,齐炉管直径为4英寸,它是由九通道质量流量控制器和高真空机组组成,其*高温度可达1200℃,极限真空可达to 10^-5 torr,混气系统可以对1-9种气体进行**的混气,然后导入到管式炉内部,用来研究气体环境对材料的影响。
  • OTF-1200X-III-HVC是由OTF-1200X-III三温区管式炉,二路质子混气系统和高真空机组组成。其*高工作温度可达1200℃,极限真空度可达 10-5 torr。混气系统可以对两种气体进行**的混气,然后导入到管式炉内部。
  • 高真空三温区CVD系统OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道质量流量控制器和高真空机组组成的CVD系统,其炉管直径为4″,*高温度可达1200℃,极限真空可达 10-5 torr,混气系统可对1-9种气体进行**的混合,然后导入管式炉内部,可用来研究气体环境对材料的影响。
  • 高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成,可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品(尺寸可达3″ )的退火,并采用 10KW的红外灯进行加热,*快升温速度可达 120℃/s,配有RS485 接口,可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线。
  • 1700℃两通道混气高真空CVD系统GSL-1700X-4-C2HV是由单温区管式炉、两路质子混气系统和高真空机组组成,*高工作温度可达1600℃,混气系统可以对两种气体进行**的混气,然后导入管式炉内部,本系统极限真空度可达10-5 torr。
  • GSL-1700X-HVC是一款CE认证的二通道高真空CVD系统,它是由二路质子混气系统和高真空机组组成,其*高工作温度可达1600℃,极限真空度可达 to 10^-5 torr。混气系统可以对两种气体进行精-确的混气,然后导入到管式炉内部。安装尺寸:管炉:550 x 380 x 520mm 高真空:550 x 380 x 520mm