产品中心
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GSL-1100X-SPC-16-3等离子三靶溅射仪是依据二极（DC）直流溅射原理设计而成的*简单、可靠、经济的镀膜设备。本机特别之处是在一个真空室内安装了三个靶，旋转样品台可依次在同一样品上涂覆三种材料。因此，适用于实验室各种复合膜样品的制备，以及非导体材料实验电极的制作。
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EQ-TM106膜厚监测仪是采用石英晶体振荡原理，结合先进的频率测量技术，进行膜厚的在线监测。主要应用于MBE、OLED热蒸发、磁控溅射等设备的薄膜制备过程中，对膜层厚度及镀膜速率进行实时监测。根据实时速率可以输出PWM模拟量，作为膜厚传感器使用，与调节仪和蒸发电源配合实现蒸发源的闭环速率控制。
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TFMS-LD是一款反射光谱薄膜测厚仪，可快速精-确地测量透明或半透明薄膜的厚度，其测量膜厚范围为15nm-50um，仪器所发出测试光的波长范围为400nm-1100nm。此款测试系统理论基础为镜面反射率，并且采用光纤反射探头。仪器尺寸小巧，方便于在实验室中摆放和使用。
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TM106-LD薄膜测厚仪/层积速率显示仪的工作原理，是依据所测样品薄膜厚度的改变而导致石英晶片振荡频率改变。将所蒸发材料的密度输入到测试系统中，便可测量层积薄膜的厚度。此款测厚仪的分辨率为0.037 Å。
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OTF-1200X-80-III-F3LV是一款CE认证的三温区管式炉CVD系统，其管径为80mm，采用机械泵，它是由管式炉，三路浮子流量供气系统组成，其真空度可达到 10-2 torr。
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OTF-1200X-80-II-F3LV是一款通过CE认证的双温区管式炉CVD系统，其管径为80mm，采用双旋片机械泵，供气系统为三路浮子供气系统，可以混合1-3种气体，其真空度可达到 10-2 torr.
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OTF-1200X-S25-II-SL是一款小型双温区管式炉CVD系统。它由带快速链接法兰的小型双温区滑轨炉、质子流量控制器、真空泵三部分组成。双温区滑轨炉可移动并可实现快速升降温；触屏式三路质子流量器，能够**控制系统的供气；真空泵可实现对管式炉快速抽真空。
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OTF-1200X-5-III-SF是经过CE认证的分体式5“（OD）三区管式炉，可以通过调节三区温度实现更快的加热至1200℃并产生不同的热梯度。炉子包括所有附件 它是在各种气氛下退火，扩散和烧结样品的优良炉子。
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开启式单温区低真空CVD系统OTF-1200X-F3LV是由开启式单温区管式炉、机械泵、三通道浮子混气系统组成，可为CVD或扩散实验提供1-3种的混合气体，真空度可达10-2torr。
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GSL-1700X-HVC9是经过CE认证的80mm直径氧化铝管式炉，带有真空泵系统（*高10^-5 torr）和9通道精密数字质量流量计，可控制九种类型的气体用于CVD或扩散，并可以工作到1700℃。
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OTF-1200X-4-III-9HV是一款CE认证的九通道高真空三温区CVD系统，齐炉管直径为4英寸，它是由九通道质量流量控制器和高真空机组组成，其*高温度可达1200℃，极限真空可达to 10^-5 torr，混气系统可以对1-9种气体进行**的混气，然后导入到管式炉内部，用来研究气体环境对材料的影响。
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OTF-1200X-III-HVC是由OTF-1200X-III三温区管式炉，二路质子混气系统和高真空机组组成。其*高工作温度可达1200℃，极限真空度可达 10-5 torr。混气系统可以对两种气体进行**的混气，然后导入到管式炉内部。
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高真空三温区CVD系统OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道质量流量控制器和高真空机组组成的CVD系统，其炉管直径为4″，*高温度可达1200℃，极限真空可达 10-5 torr，混气系统可对1-9种气体进行**的混合，然后导入管式炉内部，可用来研究气体环境对材料的影响。