产品中心
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SKJ-LCZ是一款特殊的提拉法（CZ）晶体生长炉（采用悬浮熔炼对金属样品熔化，*高温度可达2000℃）。此系统采用组成：高频感应加热电源，高真空腔体，水冷铜坩埚（悬浮熔炼）和精密提拉机构。悬浮熔炼避免了坩埚的污染，可得到高纯度的金属（合金）单晶。
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SKJ-VE2000是一款小型火焰法单晶生长炉，其温度可以高达2000℃。设备中配有质量流量计可调节氢气和氧气气流量，同时可调节料斗震动频率调节原粉料出料量，籽晶台可自动下降和转动。此设备专门设计用于生长各种氧化物晶体，如SrTiO3,Al2O3和TiO2单晶等。
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SP-MSM-4CZ是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉（采用Ar气电弧对样品熔融，提拉装置提拉），其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体（带有水冷夹层），真空度可达10-5Torr.此款单晶炉特别适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。
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VTF-1600X-TSSG是一款顶部籽晶法晶体生长炉，可利用助溶剂法生长各种材料单晶。箱式炉采用氧化铝纤维作为炉膛材料，以MoSi2为加热元件，其腔体尺寸为φ330mm×250mm(H)，*高温度可达1700℃。30段可编程精密温度控制器，可根据不同的客户需求来设定升降温程序，控温精度可达±1℃，配备精密旋转提拉机构可用于顶部籽晶助溶剂法生长各种晶体材料，提拉速度和旋转速度均可根据客户需求进行定制。
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VTF-1200X-III-TSSG是一款3温区顶部籽晶助熔剂法（TSSG）晶体生长炉。此设备主要由3部分组成：3温区加热炉（炉膛尺寸为：Φ127mm×600mm,*高温度为1200℃），温控系统可设置28段温度程序段，控温精度±1℃和精密旋转提拉机构，其提拉速度为0.8-50mm/hour.
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OTF-1200X-SCB是一款小型晶体生长炉，适用于提拉法或布里奇曼法生长单晶，其*高温度可达1100℃。设备主要由提拉机构和炉体组成，提拉机构具有提拉&旋转功能，炉体采用立式双温区管式炉，炉管为直径为Φ50mm的石英管，并且配有不锈钢密封法兰，此设备可采用提拉法（用籽晶从熔融态原来中提拉出单晶）或布里奇曼法（将样品封入到小石英试管里，石英试管在加热区内向下移动）生长各种单晶。
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OTF-1200X-50-DSL是一款水平滑轨炉，其炉管直径为Φ50mm,炉体滑动速度可以根据实验需要而设置（1mm/sec-100mm/s),并可以设置左右反复滑动，同时还可以设置炉体的滑动距离。此款管式炉专门设计用CVD方法定向生长单壁碳纳米管（SWCNTs）。通时此款滑轨炉也可用来在硅片上生长熔点较低的金属单晶。此系统包含了可设30段程序的高温炉、一根Φ50*1000mm的石英管和一套不锈钢真空法兰。
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SKJ-M50-16 金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备。可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下,在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性，本设备可采用中频感应加热电源,以及石墨电阻加热两种加热电源。采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温,使结晶体按照一定的直径进行控制。
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SKJ-50 晶体生长炉是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料（YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时，为了避免可变因数造成的影响，一台性能稳定的单晶生长设备是非常必要的，然而很多晶体生长设备是非常昂贵的。沈阳科晶可提供性能稳定，价格适中的SKJ-50 单晶生长炉，可生长多种高熔点氧化物晶体，晶体尺寸达2-3"
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VTF-1600X6 Furnace is vertical tube furnace with 6" diameter one end closed alumina tube and stainless steel flange / ball valve. It is designed for processing advanced material up to 1600oC. The Pr
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我公司研发生产的坩埚下降法生长的单晶炉设备，是一种常用的晶体生长方法又叫布里奇曼晶体生长法。把原料装在坩埚内，并通过控制加热炉体缓慢的上升，形成一个温度梯度，炉温控制在略高于材料的熔点，在通过加热区域时，坩埚中的材料被熔融，当炉体持续上升时，坩埚底部材料低于熔点以下，并开始结晶，晶体随炉体上升而持续长大。这种方法通常拥有金属单晶双晶的生长，用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶生长等。我公司在
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提拉法晶体生长炉SKJ-50CZ是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时，为了避免可变因数造成的影响，一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的，然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。可提供性能稳定，价格适中的提拉法晶体生长炉SKJ-50CZ，可生长多种氧化物高熔点晶体，晶体尺寸达 2-3" 。
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OTF-1200X-IR-IISL是一款双温区红外加热快速热处理炉，其炉管直径为4英寸，样品台滑轨周围嵌有可伸缩波纹管，允许样品在真空或气氛保护环境下移动。此款设备可使样品*大升温速率达到50℃/S，*大冷却速率达到10℃/S此款设备不仅可对样品进行快速热处理，还可采用HPCVD方法来生长二维晶体（一个加热区用来盛放固体蒸发原料，另一个加热区用于沉积样品）。
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RTP-1000-LV3C 是一款 4" RTP (快速热处理) 管式炉。配有三路流量计和一个机械泵（真空度达 10-3 torr ）。他专为半导体基片和太阳能电池或其他样品（尺寸可达 3" ）退火而设计。 这款设备是采用 9KW的红外灯加热，*快升温速度是 100oC/秒. 30 段**温度控制，精度是 +/-1oC.。RS485 接口和控制软件可以通过计算机控制炉子运行并显示温度曲线。安装在移动架里的三路气体控制和真空泵跟RTP 炉体相连接。
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GSL-1100X-RTP50是一款CE认证的快速加热冷却炉，配置50mm OD×44mm ID×304.8mm L的高纯石英管（单端封口），*高工作温度可达1100℃，一滑轨安装在右侧法兰处用于炉管的手动移动，从而实现快速的加热冷却。为取得*快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后将炉管插入到加热区内；为获得*快冷却，可在样品加热后从加热炉中移出炉管在空气中进行强冷。加热和冷却速率在真空或者惰性气体环境下可以达到10°C/s，是低成本快速热处理的理想炉子。