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  • OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化学混合气相沉积)系统,带有独特的原料推进系统和1350℃原位蒸发枪。原料推进系统和同时/依次将3种反应原料推入到炉管中(可设定推入位置和推进速度),以达到适合的蒸发温度。温度可控型原位蒸发枪,*高温度可达1350℃,也可多固体原料原位蒸发。所以此系统可对4种固体或液体源供蒸发。此设备适合各种HPCVD实验,特别适用于制备多层二维晶体材料。操作面板为PLC触摸屏,用户可设置进料速度,进料位置及实时监测蒸发原料的温度。
  • TF-1200X-4-C4LVS 双管炉是 一个特殊的双管CVD系统,是专门为在金属箔上生长薄膜而设计,特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究。通过滑动炉子实现快速加热和冷却。请点击下图观看炉子的工作原理。
  • OTF-1200X-5-III-D4 是一款三温区的双管炉,其*高工作温度可以达到1200℃,专门针对于用CVD方法在金属箔上生长薄膜物质,如石墨烯、太阳能电池的电极材料和电池电极材料等。
  • 单管滑动快速加热冷却炉OTF-1200X-80-SL是一款CE认证的可滑动管式炉,配置dia3”x55” 石英管,工作温度*高达1200°C。炉底安装一对滑轨,可用手动滑动。加热和冷却速率*大可达100°C/m。为取得*快加热,可以预先加热炉子到设定的温度,然后移动炉子到样品位置。为获得*快冷却,可在样品加热后移动炉子到另一端。加热和冷却速率在真空或者惰性气体环境下可以达到10°C/s,是低成本快速热处理的理想炉子。
  • OTF-1200X-4-RTP-SL是一款能够快速升温和降温的管式炉,其通过红外灯管加热达到快速升温的效果(*大升温速率> 50°C/S),通过炉体滑动来达到快速冷却效果(*大降温速率>10°C/S)。
  • 镍箔(石墨烯专用)
  • 铜箔-石墨烯专用
  • 1100℃双管三温区管式炉是一款CE认证的三温区双管管式炉,其外管直径11英寸,内管直径8.5英寸,在加热管一端安装有一对高真空不锈钢法兰,法兰上安装有机械压力表和阀门,三个温区都是采用30段可编程PID数字温度控制器进行温度控制,采用K型热电偶进行测温,控温精度+/- 1 ºC ,专门针对于用在金属箔上生长薄膜物质,如石墨烯、使用时把金属箔附在内管上。
  • GSL-3F-PTFE是一款三通道防腐蚀型混气系统,气体通过的所有部分全部都是由聚四氟乙烯材料制作(阀、管道、混气罐和浮子流量计),此款设备设计专门针对于需要通入腐蚀性气体(如H2S、H2Se)的CVD实验。
  • ZF-MFC-1C是一款防腐型单路气体质子流量控制器,结构小巧,操作方便,可用于气体流量的**测量和控制,流量范围0~100,200,300,500SCCM可选,可与本公司管式炉、CVD系统、熔炼铸造炉、镀膜设备等配套使用,直接数字设定流量,稳定可靠,操作方便。
  • CGM-2F是一款小型的两通道混气系统,用于惰性气体的控制,可用以小型管式炉,手套箱,等离子清洗机,小型PECVD系统等。
  • GSL-2Z-LCD-S是一款小型的两通道质子流量计混气系统,PLC触摸屏控制各通道气路流量,并可实时查看流量数据及曲线,可与本公司各种管式炉、CVD、PECVD、镀膜仪等设备配套使用,实现PVD、CVD、PECVD以及热处理等实验气氛的**控制。
  • LPG-5是一款实验型离心雾化干燥机,采用高速离心圆孔雾化盘对原料进行雾化,通过蒸发雾化液滴以及旋风分离工艺进行微粉的制备收集。雾化盘*高旋转速度可达25000rpm,热空气温度可达300℃,可用于塑料树脂、陶瓷粉体、电池材料粉体等的制备。
  • MSK-USP-6000是一款实验型雾化干燥器,通过蒸发雾化液滴以及旋风分离工艺进行微粉的制备收集。该设备对温敏型材料具有广谱适用性,广泛应用于生物医药、纳米技术、催化剂、燃料电池以及其他电池领域。